最近中文字幕完整视频高清1,国产午夜精品一区二区理论影院,精品乱码一区二区三区四区,丰满少妇粗大猛烈进高清播放,久久久久91人妻欧美精品

日本語(yǔ)   |    English

日本語(yǔ)
English
您的位置: 首頁(yè)-測(cè)量機(jī)器
橢偏儀 FE-5000/5000S

橢偏儀 FE-5000/5000S

產(chǎn)品信息 特點(diǎn) 可在紫外和可見(jiàn)(250至800nm)波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù) 可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度 可以通過(guò)超過(guò)400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜 通過(guò)可變反射角測(cè)量,可詳細(xì)分析...

在線咨詢(xún) 全國(guó)熱線
0512-62589919
產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品信息
  • 原理
  • 規(guī)格
  • 測(cè)量示例

產(chǎn)品信息

特點(diǎn)

●可在紫外和可見(jiàn)(250至800nm)波長(zhǎng)區(qū)域中測(cè)量橢圓參數(shù)

●可分析納米級(jí)多層薄膜的厚度

 ●可以通過(guò)超過(guò)400ch的多通道光譜快速測(cè)量Ellipso光譜

●通過(guò)可變反射角測(cè)量,可詳細(xì)分析薄膜

●通過(guò)創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)和追加菜單注冊(cè)功能,增強(qiáng)操作便利性

●通過(guò)層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測(cè)量可控制膜厚度/膜質(zhì)量


測(cè)量項(xiàng)目

測(cè)量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)

光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析

薄膜厚度分析


用途

半導(dǎo)體晶圓
柵氧化膜,氮化膜
SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
光學(xué)常數(shù)(波長(zhǎng)色散)

復(fù)合半導(dǎo)體
AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅

FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等

各種新材料
DLC(類(lèi)金剛石碳)、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜

光學(xué)薄膜
TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

光刻領(lǐng)域
g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長(zhǎng)的n、k評(píng)估


原理

包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對(duì)于反射光的橢圓偏振光進(jìn)行測(cè)量。s波和p波的位相和振幅獨(dú)立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
]1.jpg    


產(chǎn)品規(guī)格

型號(hào)FE-5000SFE-5000
測(cè)量樣品反射測(cè)量樣品
樣品尺寸100x100毫米200x200毫米
測(cè)量方法旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
測(cè)量膜厚范圍(ND)0.1納米-
入射(反射)的角度范圍45至90°45至90°
入射(反射)的角度驅(qū)動(dòng)方式自動(dòng)標(biāo)志桿驅(qū)動(dòng)方法
入射點(diǎn)直徑*2關(guān)于φ2.0關(guān)于φ1.2sup*3
tanψ測(cè)量精度±0.01以下
cosΔ測(cè)量精度±0.01以下
薄膜厚度的可重復(fù)性0.01%以下*4
測(cè)定波長(zhǎng)范圍*5300至800納米250至800納米
光譜檢測(cè)器多色儀(PDA,CCD)
測(cè)量用光源高穩(wěn)定性氙燈*6
平臺(tái)驅(qū)動(dòng)方式手動(dòng)手動(dòng)/自動(dòng)
裝載機(jī)兼容不可
尺寸,重量650(W)×400(D)×560(H)mm
     約50公斤
1300(W)×900(D)×1750(H)mm
     約350公斤*7
軟件
分析最小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等)
     理論方程分析(體表面nk分析,角度依賴(lài)同時(shí)分析)

*1可以驅(qū)動(dòng)偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸?角度。
*3對(duì)應(yīng)微小點(diǎn)(可選)
*4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜(100nm)時(shí)的值。
*5可以在此波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
*6光源因測(cè)量波長(zhǎng)而異。
*7選擇自動(dòng)平臺(tái)時(shí)的值。


測(cè)量示例

以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時(shí),氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對(duì)于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
以下介紹對(duì)于這種類(lèi)型的ITO,通過(guò)使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測(cè)量斜率。

2.jpg    

3.jpg    

考慮到表面粗糙度測(cè)量膜厚度值[FE-0008]

當(dāng)樣品表面存在粗糙度(Roughness)時(shí),將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測(cè)量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。

   

  

使用非干涉層模型測(cè)量封裝的有機(jī)EL材料[FE-0011]

有機(jī)EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會(huì)發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過(guò)玻璃測(cè)量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

6.jpg    

7.jpg    

使用多點(diǎn)相同分析測(cè)量未知的超薄nk[FE-0014]

為了通過(guò)擬合最小二乘法來(lái)分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無(wú)法分離的,因此精度將降低并且將無(wú)法求出精確的d。在這種情況下,測(cè)量不同d的多個(gè)樣本,假設(shè)nk是相同的,并進(jìn)行同時(shí)分析(多點(diǎn)相同分析),則可以高精度、精確地求出nk和d。

8.jpg    

9.jpg    




Copyright ? 2021-2025 大塚電子有限公司 All rights reserved.  備案號(hào):蘇ICP備13028874號(hào)-1

0512-62589919
最近中文字幕完整视频高清1,国产午夜精品一区二区理论影院,精品乱码一区二区三区四区,丰满少妇粗大猛烈进高清播放,久久久久91人妻欧美精品